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 Çѹ̹ݵµÃ¼°¡ AI ¹ÝµµÃ¼ ÅõÀÚ È®´ë¿¡ ÈûÀÔ¾î ¿ÃÇØ 2ºÐ±â â»ç ÀÌ·¡ ÃÖ´ë ºÐ±â ½ÇÀûÀ» ±â·ÏÇß´Ù.
Çѹ̹ݵµÃ¼´Â ¿ÃÇØ 2ºÐ±â ¿¬°á ±âÁØ ¸ÅÃâ 2511¾ï ¿ø, ¿µ¾÷ÀÌÀÍ 1303¾ï ¿øÀ» ±â·ÏÇß´Ù°í 14ÀÏ ¹àÇû´Ù. ¸ÅÃâÀº Áö³ÇØ °°Àº ±â°£º¸´Ù 39.5%, ¿µ¾÷ÀÌÀÍÀº 51.0% Áõ°¡Çß´Ù. ¿µ¾÷ÀÌÀÍ·üÀº 51.9%·Î ¿ª´ë ÃÖ°í ¼öÁØÀ» ±â·ÏÇß´Ù.
À̹ø ½ÇÀûÀº AI ½ÃÀå ¼ºÀåÀ¸·Î ±Û·Î¹ú ¸Þ¸ð¸® ¾÷üµéÀÇ »ý»ê½Ã¼³ ÅõÀÚ°¡ È®´ëµÇ¸é¼ °í´ë¿ªÆø¸Þ¸ð¸®(HBM)¿ë TC º»´õ¿Í MSVP Àåºñ ¼ö¿ä°¡ ´Ã¾î³ ¿µÇâÀ¸·Î Ç®À̵ȴÙ.
Çѹ̹ݵµÃ¼´Â ÇöÀç HBM »ý»ê¿¡ ÇʼöÀûÀÎ TC º»´õ ½ÃÀå¿¡¼ ±Û·Î¹ú 1À§¸¦ Â÷ÁöÇϰí ÀÖ´Ù. ¿ÃÇØ ÁÖ¿ä ¸Þ¸ð¸® ¾÷üµéÀÌ HBM4 ¾ç»êÀ» º»°ÝÈÇÏ¸é¼ °ü·Ã Àåºñ °ø±ÞÀÌ Áõ°¡Çß´Ù. ¿ÃÇØ ¸»°ú ³»³â ÃÊ ¿¹Á¤µÈ HBM4E ¾ç»êÀ» ¾ÕµÎ°í 12´Ü¡¤16´Ü Â÷¼¼´ë TC º»´õ ¼ö¿äµµ È®´ëµÉ °ÍÀ¸·Î ȸ»ç´Â ±â´ëÇϰí ÀÖ´Ù.
±Û·Î¹ú ¸Þ¸ð¸® ¾÷üµéÀÇ ÅõÀÚ È®´ëµµ ¼ö¿ä¸¦ µÞ¹ÞħÇϰí ÀÖ´Ù. ¸¶ÀÌÅ©·ÐÀº ´ë¸¸°ú ¹Ì±¹, ½Ì°¡Æ÷¸£, ÀϺ» µî¿¡¼ HBM »ý»ê ¹× ÆÐŰ¡ ½Ã¼³ ÅõÀÚ¸¦ È®´ëÇϰí ÀÖÀ¸¸ç, ÃÖ±Ù ¹Ì±¹ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶½Ã¼³ ÅõÀÚ °èȹµµ ±âÁ¸ 2000¾ï ´Þ·¯¿¡¼ 2500¾ï ´Þ·¯·Î »óÇâ Á¶Á¤Çß´Ù.
Çѹ̹ݵµÃ¼´Â Â÷¼¼´ë HBM ½ÃÀå ¼±Á¡À» À§ÇÑ Á¦Ç° °³¹ß¿¡µµ ¼Óµµ¸¦ ³¾ °èȹÀÌ´Ù. ¿ÃÇØ ¸» 2¼¼´ë ÇÏÀ̺긮µå º»´õ ½ÃÁ¦Ç°À» °ø°³ÇÏ°í ³»³â »ó¹Ý±â¿¡´Â ¿ÍÀ̵å TC º»´õ¸¦ Ãâ½ÃÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. 2¼¼´ë ÇÏÀ̺긮µå º»´õ´Â 2029³â²² ¿¹»óµÇ´Â 16´Ü ÀÌ»ó HBM ¾ç»ê¿¡ ´ëÀÀÇϱâ À§ÇÑ Àåºñ´Ù.
AI ¹ÝµµÃ¼ ÆÐŰ¡ ½ÃÀå °ø·«µµ °ÈÇÑ´Ù. ȸ»ç´Â ÃÖ±Ù AI ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼¿ë 2.5D ÆÐŰ¡ Àåºñ 3Á¾À» Ãâ½ÃÇØ ±Û·Î¹ú ÆÄ¿îµå¸®¿Í ¹ÝµµÃ¼ ÈİøÁ¤(OSAT) ¾÷ü¿¡ °ø±ÞÇϰí ÀÖ´Ù. '2.5D TC º»´õ 40'Àº Ĩ ¿Â ¿þÀÌÆÛ(Chip on Wafer) °øÁ¤¿¡, 'FC º»´õ 3.5'¿Í 'FC º»´õ 75'´Â ¿þÀÌÆÛ ¿Â ¼ºê½ºÆ®·¹ÀÌÆ®(Wafer-on-Substrate) °øÁ¤¿¡ °¢°¢ Æ¯ÈµÈ Àåºñ´Ù.
Çѹ̹ݵµÃ¼ °ü°èÀÚ´Â "ÃÖ±Ù AI ¹ÝµµÃ¼ Æ®·»µå º¯È¿¡ µû¶ó ½ÅÁ¦Ç°ÀÎ 2.5D ÆÐŰ¡ Àåºñ °ø±Þ¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡ÇÒ ¿¹Á¤"À̶ó¸ç "Á¡Â÷ °íµµÈµÇ°í ÀÖ´Â AI ÆÐŰÁö ½ÃÀå¿¡ ¸ÂÃãÇü ÷´Ü Àåºñ¸¦ Àû±â¿¡ °ø±ÞÇÔÀ¸·Î½á º¯ÇÔ¾ø´Â ¼ºÀå¼¼¸¦ À̾°Ú´Ù"°í ¸»Çß´Ù.
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